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表面接枝率測定儀

簡要描述:

表面接枝率測定儀是一種用于測量二氧化硅納米顆粒表面上接枝分子或聚合物的含量或密度的儀器。它可以評(píng)估材料表面的功能化程度和接枝效果。

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納米級(jí)二氧化硅作為典型的納米顆粒材料具有分散性好,比表面積大,親水性、力學(xué)補(bǔ)強(qiáng)性、增稠性及防粘結(jié)性等特性,廣泛應(yīng)用于電子封裝材料、高分子復(fù)合材料、塑料、涂料、橡膠、顏料、陶瓷、膠黏劑、玻璃鋼、藥物載體、化妝品及抗菌材料、油墨等領(lǐng)域。

二氧化硅納米顆粒表面存在大量的不同狀態(tài)的羥基不飽和殘鍵,親水疏油,易于團(tuán)聚,必須要對其進(jìn)行功能化改性,以提高性能及應(yīng)用范圍。

表面接枝率測定儀是一種用于測量二氧化硅納米顆粒表面上接枝分子或聚合物的含量或密度的儀器。它可以評(píng)估材料表面的功能化程度和接枝效果。

<strong>表面接枝率測定儀</strong>1.png

 

表面接枝率測定儀檢測原理:

LU 等科學(xué)家采用多洛倫茲分裂算法將游離 PEG 的NMR信號(hào)與接枝的 NMR信號(hào)區(qū)分開,從而可以使用1H-NMR對接枝過程進(jìn)行原位監(jiān)測。該方法的優(yōu)點(diǎn)是不受接枝基團(tuán)末端官能團(tuán)類型、表面化學(xué)性質(zhì)、納米粒子或組成的限制,它還為相關(guān)科學(xué)研究提供表征納米顆粒上基團(tuán)接枝密度的關(guān)鍵和標(biāo)準(zhǔn)指南。低場核磁技術(shù)因?yàn)槠湓O(shè)備成本較低,使用簡單,適用于宏觀樣品等特性,非常適用于快速測定顆粒表面接枝率測定。它通過MSE系列序列實(shí)現(xiàn)死時(shí)間內(nèi)的1H核磁信號(hào)采集,最多的采集到了接枝在顆粒表面的基團(tuán)中H原子核的信號(hào),利用外標(biāo)法進(jìn)行定量分析。

表面接枝率測定儀產(chǎn)品功能:

樣品:納米級(jí)二氧化硅

規(guī)格:可裝入10mm口徑試管,裝樣高度不超過2cm

注意事項(xiàng):樣品不得含有鐵磁性物質(zhì)

表面接枝率測定儀產(chǎn)品優(yōu)勢:

1. 檢測成本低

2. 快速簡單

3. 適用于宏觀樣品等特性

4. 無需任何專業(yè)操作員培訓(xùn)

表面接枝率測定儀應(yīng)用案例:

<strong>表面接枝率測定儀</strong>2.png

納米顆粒表面積接枝基團(tuán)


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